刻蚀机
刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，聚焦离子束刻蚀机厂家，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。
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离子束刻蚀常见的效应
刻蚀的理想结果是将掩模(mask)的图形准确地转移到基片_上，尺寸没有变化。由于物理溅射的存在，掩模本身的不陡直和溅射产额随离子束入射角变化等原因，产生了刻面(Faceting)、槽底开沟(Trenching or Ditching) 和再沉积等现象，这些效应的存在降低了图形转移精度。
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离子束刻蚀机的原理
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利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子，聚焦离子束刻蚀机工作原理，ya离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，聚焦离子束刻蚀机，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。
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